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      公司新聞

      平行合成儀的市場價格

            10月15日-16日,中國科學院半導體研究所、儀器信息網聯合主辦首屆“半導體材料與器件研究與應用”網絡會議(i Conference on Research and Application of Semiconductor Materials and Devices, iCSMD 2020),22位業內知名的國內外專家學者聚焦半導體材料與器件的產業熱點方向,進行為期兩日的學術交流。會議期間,中科院半導體所、集成電路工程研究中心的王曉東研究員做了題為《半導體微納加工中的硅干法刻蝕技術》的報告。平行合成儀硅干法刻蝕即等離子體刻蝕技術,相對于濕法刻蝕,具有更好的各向異性,工藝重復性,且能降低晶圓污染幾率,因此成為了亞微米下制備半導體器件最主要的刻蝕方法。在此次報告中,王曉東研究員介紹了三種不同的硅干法刻蝕技術。 據介紹,硅干法刻蝕的物理機制,主要包括物理濺射刻蝕、純化學刻蝕、化學離子增強刻蝕和側壁抑制刻蝕等。影響硅干法刻蝕效果的因素主要有三類:一是等離子體密度和能量,通過配備兩套射頻源,ICP和RF射頻源來分別控制;二是腔室氣壓,由于鞘層的存在,一般需要氣壓小于100 mtorr使得離子平均自由程大于鞘層寬度;三是刻蝕氣體選擇,氣體需要根據反應生成物是否容易去掉來選擇,首選揮發性產物。 王曉東研究員重點介紹了三種硅干法刻蝕技術,即Bosch、Cryo、Mixed。Bosch通??涛g特征尺寸>1 μm,刻蝕深度>10 μm,刻蝕結果深且寬,即深硅刻蝕;Cryo即所謂的低溫工藝,可以得到平滑側壁以及納米尺寸結果;平行合成儀Mixed刻蝕深度<10 μm,具有低的深寬比,也即淺硅刻蝕。

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